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来源：UC头条 发布时间：2017-10-13 20:42:26
一期投资370亿元人民币
由福建省电子信息集团和泉州、晋江两级政府共同投建，预计2018年9月形成月产6万片12寸先进制程内存晶囿的生产规模。
2016年3月
国家存储器基地
总投资240亿美元
国家存储器基地项目在武汉东湖高新（600133）区落地，新的存储器基地将分三期，总规划面积约100万平方米，目标一期预计2018年建设完成，产能约20万片/月，2020年总产能30万片/月、2030年总产能100万片/月。产品主要是Flash Memory，包括NOR、NAND、3D NAND。
2016年2月
合肥市政府
初期投资额8,000亿日元
日本DRAM大厂尔必达前社长坂本幸雄所主导成立的兆基科技不合肥市政府合作，由合肥市政府分工负责生产制造事宜，结合台湾与日本的技术及中国大陆的资金，开发下一代内存芯片以及供应生产技术，第一步是设计物联网科技所需的低耗电DRAM芯片。预定最快2017年下半年开始投产。